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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard IXCY01N90E
Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 25µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | TO-252 |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 80 Ohm @ 50mA, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 40W (Tc) |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 133pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 900V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 900V 250mA (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-252 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 250mA (Tc) |