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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard IXFX52N30Q
Vgs (th) (max) a Id | - |
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Vgs (Max) | - |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | PLUS247™-3 |
Serie | HiPerFET™ |
Rds On (max) a Id, Vgs | - |
Dissipazione di potenza (max) | 360W (Tc) |
Contenitore / involucro | TO-247-3 |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Tensione drain-source (Vdss) | 300V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 300V 52A (Tc) 360W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 52A (Tc) |