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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard IRFH4257DTRPBF
Vgs (th) (max) a Id | 2.1V @ 35µA |
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Contenitore dispositivo fornitore | Dual PQFN (5x4) |
Serie | HEXFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 25A, 10V |
Potenza - Max | 25W, 28W |
imballaggio | Cut Tape (CT) |
Contenitore / involucro | 8-PowerVDFN |
Altri nomi | IRFH4257DTRPBFCT |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1321pF @ 13V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Tensione drain-source (Vdss) | 25V |
Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 25A 25W, 28W Surface Mount Dual PQFN (5x4) |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 25A |