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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard SI9926BDY-T1-GE3
Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 250µA |
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Contenitore dispositivo fornitore | 8-SO |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 20 mOhm @ 8.2A, 4.5V |
Potenza - Max | 1.14W |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.2A 1.14W Surface Mount 8-SO |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6.2A |
Numero di parte base | SI9926 |