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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard FD70N20PWD
Vgs (th) (max) a Id | - |
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Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | TO-3P |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | TO-3P-3, SC-65-3 |
temperatura di esercizio | - |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione drain-source (Vdss) | 200V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 200V 70A (Ta) Through Hole TO-3P |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Ta) |