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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard STSJ60NH3LL
Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±16V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOIC-EP |
Serie | STripFET™ |
Rds On (max) a Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 7.5A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 50W (Tc) |
imballaggio | Cut Tape (CT) |
Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
Altri nomi | 497-5252-1 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1810pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 4.5V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 60A (Tc) 3W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-SOIC-EP |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |