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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard IRF7759L2TRPBF
Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | DIRECTFET L8 |
Serie | HEXFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 96A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 3.3W (Ta), 125W (Tc) |
imballaggio | Original-Reel® |
Contenitore / involucro | DirectFET™ Isometric L8 |
Altri nomi | IRF7759L2TRPBFDKR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12222pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 75V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 75V 26A (Ta), 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L8 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Ta), 375A (Tc) |