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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard IPI16CN10N G
Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 61µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (max) a Id, Vgs | 16.2 mOhm @ 53A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Altri nomi | IPI16CN10N G-ND IPI16CN10NG SP000208930 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3220pF @ 50V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 100V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 53A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 53A (Tc) |