BSZ088N03MSGATMA1 Vantaggio dei prezzi per la spedizione immediata dal distributore di stock, BSZ088N03MSGATMA1 Inventory & Data fogli

BSZ088N03MSGATMA1

Mega fonte #: MEGA-BSZ088N03MSGATMA1

fabbricante: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

Confezione: Tape & Reel (TR)

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme

Datasheet:

La nostra certificazione

Descrizione del prodotto

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Specifiche

Componenti del circuito integrato di imballaggio standard BSZ088N03MSGATMA1

Vgs (th) (max) a Id	2V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore	PG-TSDSON-8
Serie	OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs	8 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.1W (Ta), 35W (Tc)
imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-PowerTDFN
Altri nomi	BSZ088N03MS G BSZ088N03MSG BSZ088N03MSGATMA1TR BSZ088N03MSGINTR BSZ088N03MSGINTR-ND BSZ088N03MSGXT SP000311509
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2100pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Ta), 40A (Tc)

Vgs (th) (max) a Id

2V @ 250µA

Vgs (Max)

±20V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Contenitore dispositivo fornitore

PG-TSDSON-8

Serie

OptiMOS™

Rds On (max) a Id, Vgs

8 mOhm @ 20A, 10V

Dissipazione di potenza (max)

2.1W (Ta), 35W (Tc)

imballaggio

Tape & Reel (TR)

Contenitore / involucro

8-PowerTDFN

Altri nomi

BSZ088N03MS G
BSZ088N03MSG
BSZ088N03MSGATMA1TR
BSZ088N03MSGINTR
BSZ088N03MSGINTR-ND
BSZ088N03MSGXT
SP000311509

temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo montaggio

Surface Mount

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2100pF @ 15V

Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Tipo FET

N-Channel

Caratteristica FET

Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Tensione drain-source (Vdss)

30V

Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8

Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta), 40A (Tc)

FAQ BSZ088N03MSGATMA1

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14. APPLEGNAZIONI - Monte del tabellone
15. Potenziometri, resistori variabili
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