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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard CSD19506KCS
Vgs (th) (max) a Id | 3.2V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Serie | NexFET™ |
Rds On (max) a Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 100A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 375W (Tc) |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | TO-220-3 |
Altri nomi | 296-37169-5 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 35 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Request inventory verification / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12200pF @ 40V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 156nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 80V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 80V 100A (Ta) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Ta) |