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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard IPN80R750P7ATMA1
Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 140µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | PG-SOT223 |
Serie | CoolMOS™ P7 |
Stato RoHS | RoHS Compliant |
Rds On (max) a Id, Vgs | 750 mOhm @ 2.7A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 7.2W (Tc) |
imballaggio | Cut Tape (CT) |
Contenitore / involucro | SOT-223-3 |
Altri nomi | IPN80R750P7ATMA1CT |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 500V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 800V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 800V 7A (Tc) 7.2W (Tc) Surface Mount PG-SOT223 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |