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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard SCT3022ALGC11
Vgs (th) (max) a Id | 5.6V @ 18.2mA |
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Vgs (Max) | +22V, -4V |
Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
Contenitore dispositivo fornitore | TO-247N |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 28.6 mOhm @ 36A, 18V |
Dissipazione di potenza (max) | 339W (Tc) |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | TO-247-3 |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2208pF @ 500V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 133nC @ 18V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
Tensione drain-source (Vdss) | 650V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 93A (Tc) 339W (Tc) Through Hole TO-247N |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 93A (Tc) |