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SI7121DN-T1-GE3
- Mega fonte #: MEGA-SI7121DN-T1-GE3
- fabbricante: Electro-Films (EFI) / Vishay
- Confezione: Tape & Reel (TR)
- Descrizione: MOSFET P-CH 30V 16A 1212-8
- A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme
- Datasheet:
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In magazzino: 57842
Descrizione del prodotto
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Specifiche
Componenti del circuito integrato di imballaggio standard SI7121DN-T1-GE3
| Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±25V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 18 mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | PowerPAK® 1212-8 |
| Altri nomi | SI7121DN-T1-GE3TR SI7121DNT1GE3 |
| temperatura di esercizio | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 27 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1960pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 30V 16A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
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