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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard APT10M09B2VFRG
Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 2.5mA |
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Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | T-MAX™ [B2] |
Serie | POWER MOS V® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 9 mOhm @ 50A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 625W (Tc) |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | TO-247-3 Variant |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9875pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 350nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 100V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 100A (Tc) 625W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |