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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard CYD18S36V18-200BBAXI
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | - |
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Tensione di alimentazione - | 1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Contenitore dispositivo fornitore | 256-FBGA (17x17) |
Serie | - |
imballaggio | Tray |
Contenitore / involucro | 256-LBGA |
Altri nomi | CYD18S36V18200BBAXI |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Tipo di memoria | Volatile |
Dimensione della memoria | 18Mb (512K x 36) |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Formato di memoria | SRAM |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descrizione dettagliata | SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 3.3ns 256-FBGA (17x17) |
Frequenza dell'orologio | 200MHz |
Numero di parte base | CYD18S36 |
Tempo di accesso | 3.3ns |