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STD1HNC60T4
- Mega fonte #: MEGA-STD1HNC60T4
- fabbricante: STMicroelectronics
- Confezione: Cut Tape (CT)
- Descrizione: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
- A norma RoHS: Contiene piombo / RoHS non conforme
- Datasheet:
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In magazzino: 57790
Descrizione del prodotto
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Specifiche
Componenti del circuito integrato di imballaggio standard STD1HNC60T4
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | DPAK |
| Serie | PowerMESH™ II |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 5 Ohm @ 1A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | 497-2485-1 |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 228pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15.5nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 2A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) |
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FAQ STD1HNC60T4
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