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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard MT47H64M8JN-25E IT:G
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 15ns |
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Tensione di alimentazione - | 1.7 V ~ 1.9 V |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Contenitore dispositivo fornitore | 60-FBGA (8x10) |
Serie | - |
imballaggio | Bulk |
Contenitore / involucro | 60-TFBGA |
Altri nomi | MT47H64M8JN-25E IT:G-ND MT47H64M8JN-25EIT:G |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Tipo di memoria | Volatile |
Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Formato di memoria | DRAM |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descrizione dettagliata | SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (8x10) |
Frequenza dell'orologio | 400MHz |
Numero di parte base | MT47H64M8 |
Tempo di accesso | 400ps |